Производитель Номер продукта:
DMG7N65SCT
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMG7N65SCT-DG
Описание:
MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 650 V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB (Type TH)
Инвентаризация:
12883977
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
4vfQ
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMG7N65SCT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
Automotive, AEC-Q101
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
25.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
886 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
125W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB (Type TH)
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
DMG7N65
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXFP7N80PM
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXFP7N80PM-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
4.60
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXFP7N80P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
299
Номер части
IXFP7N80P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.31
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN7022LFGQ-13
MOSFET N-CH 75V 23A POWERDI3333
DMN4008LFG-13
MOSFET N-CH 40V 14.4A PWRDI3333
DMN3071LFR4-7R
MOSFET N-CH 30V 3.4A 3DFN
