Производитель Номер продукта:
DMJ70H1D3SH3
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMJ70H1D3SH3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
Подробное описание:
N-Channel 700 V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251 (Type TH3)
Инвентаризация:
12949687
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
7Tr3
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMJ70H1D3SH3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.3Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13.9 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
351 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
41W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251 (Type TH3)
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Базовый номер продукта
DMJ70
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
DMJ70H1D3SH3-DG
DMJ70H1D3SH3DI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPS70R1K4P7SAKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPS70R1K4P7SAKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.18
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IPS80R600P7AKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IPS80R600P7AKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.69
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMP2035UVTQ-13
MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
DMG3404L-13
MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23
DMT6016LPSW-13
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060