Производитель Номер продукта:
DMJ70H600SH3
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMJ70H600SH3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 11A TO251
Подробное описание:
N-Channel 700 V 11A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-251
Инвентаризация:
12882196
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
tHeL
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMJ70H600SH3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
643 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
113W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-251
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
DMJ70
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IXTU8N70X2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
64
Номер части
IXTU8N70X2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.71
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMTH3004LK3-13
MOSFET N-CH 30V 21A/75A TO252
DMP6185SE-13
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
IRF9620STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 3.5A D2PAK
