Производитель Номер продукта:
DMN2022UFDF-7
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2022UFDF-7-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN
Подробное описание:
N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Инвентаризация:
5599 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12949243
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
r3KU
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2022UFDF-7 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
22mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
907 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
660mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
U-DFN2020-6 (Type F)
Упаковка / Чехол
6-UDFN Exposed Pad
Базовый номер продукта
DMN2022
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DMN2022UFDF-7DICT
DMN2022UFDF-7DITR
DMN2022UFDF-7DIDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFR214PBF
MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK
DMTH43M8LFG-7
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
DMT69M8LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO T&R 2