Производитель Номер продукта:
DMN2300UFB4-7B
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
DMN2300UFB4-7B-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Инвентаризация:
452312 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12884199
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
iri9
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
DMN2300UFB4-7B Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.3A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
175mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
64.3 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
X2-DFN1006-3
Упаковка / Чехол
3-XFDFN
Базовый номер продукта
DMN2300
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
10,000
Другие названия
DMN2300UFB4-7BDIDKR
DMN2300UFB47B
DMN2300UFB4-7BDICT
DMN2300UFB4-7BDITR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3025LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMT4008LSS-13
MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SO
