DRDPB26W-7
Производитель Номер продукта:

DRDPB26W-7

Product Overview

Производитель:

Diodes Incorporated

Номер детали:

DRDPB26W-7-DG

Описание:

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT363
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363

Инвентаризация:

12902178
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
PfSV
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

DRDPB26W-7 Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Однополярные, предварительно смещенные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
PNP - Pre-Biased + Diode
Ток - коллектор (IC) (макс.)
600 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50 V
Резистор - база (R1)
220 Ohms
Резистор - база эмиттера (R2)
4.7 kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
47 @ 50mA, 5V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
200 MHz
Мощность - Макс
200 mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SOT-363
Базовый номер продукта
DRDPB26

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
DRDPB26WDITR
DRDPB26WDIDKR
DRDPB26WDICT
DRDPB26W7

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
diodes

DDTA123JE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523

diodes

DDTA144WKA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SC59-3

diodes

DDTA114YLP-7

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN

diodes

DDTC123ECA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3