Производитель Номер продукта:
ZTX857QSTZ
Product Overview
Производитель:
Diodes Incorporated
Номер детали:
ZTX857QSTZ-DG
Описание:
PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR EP3 AM
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 3 A 80MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Инвентаризация:
12979199
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
ZTX857QSTZ Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
Diodes Incorporated
Упаковка
Tape & Box (TB)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN
Ток - коллектор (IC) (макс.)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
300 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 600mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
50nA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 10V
Мощность - Макс
1.2 W
Частота - переход
80MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
E-Line-3, Formed Leads
Комплект устройства поставщика
E-Line (TO-92 compatible)
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
4,000
Другие названия
31-ZTX857QSTZTB
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BC847BWQ-13-F
GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT32
FMMT491AQTC
SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R
FMMT625QTA
SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
