FDD8878
Производитель Номер продукта:

FDD8878

Product Overview

Производитель:

Fairchild Semiconductor

Номер детали:

FDD8878-DG

Описание:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Подробное описание:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Инвентаризация:

30452 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12947285
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
51mv
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDD8878 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
880 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
40W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252 (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
611
Другие названия
FAIFSCFDD8878
2156-FDD8878

Классификация окружающей среды и экспорта

ECCN
EAR99
ХИТСУС
8542.39.0001
Сертификация DIGI
Связанные продукты
fairchild-semiconductor

FQPF10N50CF

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

renesas-electronics-america

RJK1535DPE-LE

40A, 150V, 0.052OHM, N-CHANNEL M

fairchild-semiconductor

FDD8896

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRF2805STRL

MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK