Производитель Номер продукта:
BSD816SNL6327HTSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
BSD816SNL6327HTSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Подробное описание:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Инвентаризация:
12799410
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
fWp9
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
BSD816SNL6327HTSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 2.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
950mV @ 3.7µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
180 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
PG-SOT363-PO
Упаковка / Чехол
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-DG
SP000464868
BSD816SNL6327HTSA1CT
BSD816SNL6327HTSA1TR
BSD816SN L6327DKR
BSD816SNL6327HTSA1DKR
BSD816SN L6327DKR-DG
BSD816SN L6327TR-DG
BSD816SNL6327
BSD816SN L6327
BSD816SN L6327-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
BSS84PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3