IPA60R360P7SXKSA1
Производитель Номер продукта:

IPA60R360P7SXKSA1

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IPA60R360P7SXKSA1-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 9A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Инвентаризация:

3734 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12799479
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
fzUc
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IPA60R360P7SXKSA1 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 140µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
555 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
22W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO220-FP
Упаковка / Чехол
TO-220-3 Full Pack
Базовый номер продукта
IPA60R360

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001606068
2156-IPA60R360P7SXKSA1
ROCINFIPA60R360P7SXKSA1

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

BSC030N08NS5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 100A TDSON

infineon-technologies

IPA65R150CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220

infineon-technologies

BSP149 E6327

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

infineon-technologies

BSC059N03S G

MOSFET N-CH 30V 17.5A/73A TDSON