Производитель Номер продукта:
IPI120N04S402AKSA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPI120N04S402AKSA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3
Подробное описание:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Инвентаризация:
500 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12818401
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
bMfW
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPI120N04S402AKSA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
OptiMOS™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
2.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 110µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
10740 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
158W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO262-3
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IPI120
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
500
Другие названия
IPI120N04S4-02
IFEINFIPI120N04S402AKSA1
IPI120N04S4-02-DG
SP000764742
2156-IPI120N04S402AKSA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
IRFB4215
MOSFET N-CH 60V 115A TO220AB
LND150N3-G-P014
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
