Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IPSA70R600P7SAKMA1
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
Подробное описание:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43.1W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13064124
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
j
k
i
u
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IPSA70R600P7SAKMA1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
CoolMOS™ P7
Упаковка
Tube
Состояние детали
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 90µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 400 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
364 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
43.1W (Tc)
Рабочая температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
PG-TO251-3
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
IPSA70
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IPSA70R600P7SAKMA1
HTML Спецификация
IPSA70R600P7SAKMA1-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
SP001664806
IPSA70R600P7S
IFEINFIPSA70R600P7SAKMA1
2156-IPSA70R600P7SAKMA1
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPS70R600P7SAKMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
177
Номер части
IPS70R600P7SAKMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.27
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRF1324SPBF
MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK
IRF7799L2TRPBF
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
IRF7413ZPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
IPU80R1K4P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3