Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
IRF3709S
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRF3709S-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
13064101
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
K
d
R
S
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRF3709S Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Упаковка
Tube
Состояние детали
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
41 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2672 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
D2PAK
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
IRF3709(S,L)
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
*IRF3709S
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
PSMN4R3-30BL,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
9945
Номер части
PSMN4R3-30BL,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.58
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
PSMN017-30BL,118
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1868
Номер части
PSMN017-30BL,118-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.37
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFP150NPBF
MOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
IPN50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 9A SOT223
IRF3709STRLPBF
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
IRF2204LPBF
MOSFET N-CH 40V 170A TO262