IRFR9N20DPBF
Производитель Номер продукта:

IRFR9N20DPBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRFR9N20DPBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Инвентаризация:

12804309
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
dBHL
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFR9N20DPBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
560 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
86W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
75
Другие названия
SP001565076
2156-IRFR9N20DPBF
INFINFIRFR9N20DPBF
*IRFR9N20DPBF

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRFS7787PBF

MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK

infineon-technologies

IRF1902TRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

infineon-technologies

IRF5210L

MOSFET P-CH 100V 40A TO262

infineon-technologies

IRF3710ZSPBF

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK