Производитель Номер продукта:
IRFR9N20DPBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFR9N20DPBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Инвентаризация:
12804309
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
jR6x
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFR9N20DPBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Discontinued at Digi-Key
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
560 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
86W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA (DPAK)
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
SP001565076
2156-IRFR9N20DPBF
INFINFIRFR9N20DPBF
*IRFR9N20DPBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS7787PBF
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
IRF1902TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO
IRF5210L
MOSFET P-CH 100V 40A TO262
