IRFSL3306PBF
Производитель Номер продукта:

IRFSL3306PBF

Product Overview

Производитель:

Infineon Technologies

Номер детали:

IRFSL3306PBF-DG

Описание:

MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Подробное описание:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262

Инвентаризация:

12805736
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
z6FX
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

IRFSL3306PBF Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 150µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
4520 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
230W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IRFSL3306

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001568072
448-IRFSL3306PBF
IRFSL3306PBF-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
infineon-technologies

IRFS7437TRL7PP

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRFS4228PBF

MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK

infineon-technologies

IRFR3708PBF

MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

infineon-technologies

IPW80R280P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3