Производитель Номер продукта:
IRFSL4010PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRFSL4010PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
Подробное описание:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262
Инвентаризация:
683 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12804231
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
3wcC
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRFSL4010PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.7mOhm @ 106A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
9575 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
375W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-262
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
IRFSL4010
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
SP001567760
448-IRFSL4010PBF
IRFSL4010PBF-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IPP60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
IPP60R950C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
IRFZ24NLPBF
MOSFET N-CH 55V 17A TO262
