Производитель Номер продукта:
IRL8114PBF
Product Overview
Производитель:
Infineon Technologies
Номер детали:
IRL8114PBF-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB
Подробное описание:
N-Channel 30 V 90A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12806208
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
Ptmd
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IRL8114PBF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Infineon Technologies
Упаковка
-
Серия
HEXFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.25V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
29 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2660 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
115W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
IRL8114
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,000
Другие названия
SP001550392
64-0104PBF-DG
64-0104PBF
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IPP042N03LGXKSA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
238
Номер части
IPP042N03LGXKSA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.49
Тип замещения
MFR Recommended
Сертификация DIGI
Связанные продукты
IRFS4010TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
IRFR6215TRL
MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
IRFB7446GPBF
MOSFET N CH 40V 120A TO220AB