Производитель Номер продукта:
IXTH16N50D2
Product Overview
Производитель:
IXYS
Номер детали:
IXTH16N50D2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 500 V 16A (Tc) 695W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Инвентаризация:
291 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12916206
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
yYXW
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
IXTH16N50D2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Littelfuse
Упаковка
Tube
Серия
Depletion
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
500 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
0V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 8A, 0V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
199 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5250 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
Depletion Mode
Рассеиваемая мощность (макс.)
695W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247 (IXTH)
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
IXTH16
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SI7415DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
SUD50N02-06P-E3
MOSFET N-CH 20V 50A TO252
SQD23N06-31L_GE3
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
