APT38F80B2
Производитель Номер продукта:

APT38F80B2

Product Overview

Производитель:

Microchip Technology

Номер детали:

APT38F80B2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Подробное описание:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Инвентаризация:

37 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13251868
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
0YsY
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

APT38F80B2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8070 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1040W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
T-MAX™ [B2]
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
APT38F80

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
30
Другие названия
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
microchip-technology

APT5018SLLG

MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK

microchip-technology

APT26M100JCU3

MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227

microchip-technology

APT5020SVFRG

MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK

microchip-technology

APT10M19SVFRG

MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK