Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
APT38F80B2
Product Overview
Производитель:
Microchip Technology
Номер детали:
APT38F80B2-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 41A T-MAX
Подробное описание:
N-Channel 800 V 41A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Инвентаризация:
37 Шт Новые Оригиналы В Наличии
13251868
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
0
Y
s
Y
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
APT38F80B2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Microchip Technology
Упаковка
Tube
Серия
POWER MOS 8™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
41A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
240mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
8070 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1040W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
T-MAX™ [B2]
Упаковка / Чехол
TO-247-3 Variant
Базовый номер продукта
APT38F80
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
APT38F80(B2,L)
High-Voltage Power Discretes and Modules
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
APT38F80B2MI-ND
APT38F80B2MI
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
APT5018SLLG
MOSFET N-CH 500V 27A D3PAK
APT26M100JCU3
MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
APT5020SVFRG
MOSFET N-CH 500V 26A D3PAK
APT10M19SVFRG
MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK