Производитель Номер продукта:
2SA1319S-AA
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
2SA1319S-AA-DG
Описание:
2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP
Инвентаризация:
6000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12996783
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SA1319S-AA Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
700 mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
160 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
500mV @ 25mA, 250mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
100nA (ICBO)
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Мощность - Макс
700 mW
Частота - переход
120MHz
Рабочая температура
150°C (TJ)
Степень
-
Квалификация
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Комплект устройства поставщика
3-NP
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,664
Другие названия
2156-2SA1319S-AA-488
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Vendor Undefined
Статус REACH
REACH Unaffected
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MMBT3906,215
NEXPERIA MMBT3906 - SMALL SIGNAL
BCX54,115
NEXPERIA BCX54 - SMALL SIGNAL BI
BC856BMYL
NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN
