BS107G

Производитель Номер продукта:

BS107G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

BS107G-DG

Описание:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Подробное описание:

N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12848208

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

BS107G Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

onsemi

Упаковка

-

Серия

-

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

N-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

200 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

250mA (Ta)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

2.6V, 10V

Rds On (макс.) @ id, vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

3V @ 1mA

Vgs (макс.)

±20V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

60 pF @ 25 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

350mW (Ta)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Through Hole

Комплект устройства поставщика

TO-92 (TO-226)

Упаковка / Чехол

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Базовый номер продукта

BS107

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет

1,000

Другие названия

BS107GOS

BS107G-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.21.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

alpha-and-omega-semiconductor

AOUS66616

MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8

FDC604P

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

alpha-and-omega-semiconductor

AOW11N60

MOSFET N-CH 600V 11A TO262

onsemi

HUF75343S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK