FCD4N60TM
Производитель Номер продукта:

FCD4N60TM

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FCD4N60TM-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 3.9A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

10613 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12850381
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FCD4N60TM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
SuperFET™
Статус продукта
Not For New Designs
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
3.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
540 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
50W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FCD4N60

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FCD4N60TMTR
FCD4N60TMCT
FCD4N60TMDKR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095

Альтернативные модели

Номер детали
TK6P65W,RQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
58
Номер части
TK6P65W,RQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.47
Тип замещения
Similar
Номер детали
STD7N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
14171
Номер части
STD7N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
Similar
Номер детали
STD6N60M2
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
STMicroelectronics
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
STD6N60M2-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.50
Тип замещения
Similar
Номер детали
IPD80R1K0CEATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2125
Номер части
IPD80R1K0CEATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.58
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

FQPF13N10

MOSFET N-CH 100V 8.7A TO220F

infineon-technologies

IPP80N06S4L05AKSA1

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

onsemi

FQPF20N06

MOSFET N-CH 60V 15A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AO4411L

MOSFET P-CH 30V 8A 8SO