Производитель Номер продукта:
FCP650N80Z
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FCP650N80Z-DG
Описание:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Подробное описание:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12847028
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FCP650N80Z Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
SuperFET® II
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
650mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1565 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
162W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FCP650
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-FCP650N80Z
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FCP400N80Z
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
850
Номер части
FCP400N80Z-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.50
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IXTP10N60P
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
IXYS
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
IXTP10N60P-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
2.26
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCPF190N65S3L1
MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
FQT1N80TF-WS
MOSFET N-CH 800V 200MA SOT223-3
HUFA76419S3S
MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
