FDD1600N10ALZ
Производитель Номер продукта:

FDD1600N10ALZ

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDD1600N10ALZ-DG

Описание:

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Подробное описание:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Инвентаризация:

6334 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847420
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
400y
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FDD1600N10ALZ Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
225 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
14.9W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD1600

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2832-FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZCT
FDD1600N10ALZDKR
ONSONSFDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZTR
2156-FDD1600N10ALZ-OS

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

MMSF3P02HDR2

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC

onsemi

FDAF59N30

MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF

alpha-and-omega-semiconductor

AOT298L

MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220

onsemi

FDMS007N08LC

MOSFET N-CH 80V 14A/84A 8PQFN