Производитель Номер продукта:
FDD1600N10ALZ
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDD1600N10ALZ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Подробное описание:
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 14.9W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Инвентаризация:
6334 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847420
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
K7kX
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDD1600N10ALZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
160mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
3.61 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
225 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
14.9W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-252AA
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
FDD1600
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2832-FDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZCT
FDD1600N10ALZDKR
ONSONSFDD1600N10ALZ
FDD1600N10ALZTR
2156-FDD1600N10ALZ-OS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
AOT298L
MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO220
