Производитель Номер продукта:
FDMS86102LZ
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDMS86102LZ-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN
Подробное описание:
N-Channel 100 V 7A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Инвентаризация:
66683 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12838889
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDMS86102LZ Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7A (Ta), 22A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1305 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PQFN (5x6)
Упаковка / Чехол
8-PowerTDFN
Базовый номер продукта
FDMS86102
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
2156-FDMS86102LZ-OS
FDMS86102LZ-DG
FDMS86102LZCT
FDMS86102LZDKR
ONSONSFDMS86102LZ
FDMS86102LZTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
SFW9640TM
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
FQPF33N10L
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
