Производитель Номер продукта:
FDP18N20F
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDP18N20F-DG
Описание:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220-3
Подробное описание:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Инвентаризация:
12930621
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDP18N20F Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
UniFET™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
145mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1180 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220-3
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
FDP18
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
2156-FDP18N20F-488
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
FDPF18N20FT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
onsemi
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
0
Номер части
FDPF18N20FT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.60
Тип замещения
MFR Recommended
Номер детали
IRF640NPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
63317
Номер части
IRF640NPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.41
Тип замещения
Direct
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CPH6354-TL-W
MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
NVTFS9D6P04M8L
MOSFET P-CH 20V 8-SOIC
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3