Производитель Номер продукта:
FDS6670A
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDS6670A-DG
Описание:
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
Подробное описание:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Инвентаризация:
7202 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12838859
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDS6670A Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
30 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2220 pF @ 15 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-SOIC
Упаковка / Чехол
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Базовый номер продукта
FDS6670
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
FDS6670ADKR
FDS6670ACT-NDR
2166-FDS6670A-488
FDS6670ATR-NDR
FDS6670ATR
FDS6670ACT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDD3682
MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
FQPF5N50CT
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
FDD86102LZ
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
