FDZ291P

Производитель Номер продукта:

FDZ291P

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FDZ291P-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Подробное описание:

P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)

Инвентаризация:

Запрос на предложение в Интернете

12849464

Запросить котировку

Количество
Минимум 1

(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов

ОТПРАВИТЬ

FDZ291P Технические характеристики

Категория

ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET

Производитель

onsemi

Упаковка

-

Серия

PowerTrench®

Статус продукта

Obsolete

Тип полевых транзисторов

P-Channel

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

20 V

Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C

4.6A (Ta)

Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)

1.5V, 4.5V

Rds On (макс.) @ id, vgs

40mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

13 nC @ 4.5 V

Vgs (макс.)

±8V

Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds

1010 pF @ 10 V

Функция полевых транзисторов

-

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.7W (Ta)

Рабочая температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип крепления

Surface Mount

Комплект устройства поставщика

9-BGA (1.5x1.6)

Упаковка / Чехол

9-VFBGA

Базовый номер продукта

FDZ29

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет

10,000

Другие названия

FDZ291PTR

FDZ291PDKR

FDZ291PCT

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)

1 (Unlimited)

Статус REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

ХИТСУС

8541.29.0095

Сертификация DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Связанные продукты

onsemi

FDFMA2P029Z

MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET

alpha-and-omega-semiconductor

AON6284A

MOSFET N-CHANNEL 80V 48A 8DFN

onsemi

FCP380N60E

MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON2705

MOSFET P-CH 30V 3A 6DFN