Производитель Номер продукта:
FDZ299P
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FDZ299P-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Подробное описание:
P-Channel 20 V 4.6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (2x2.1)
Инвентаризация:
12846236
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FDZ299P Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
PowerTrench®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
55mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
742 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.7W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
9-BGA (2x2.1)
Упаковка / Чехол
9-WFBGA
Базовый номер продукта
FDZ29
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDB8441
MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB
FDD9407L-F085
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
FDS5670
MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
