Производитель Номер продукта:
FQB15P12TM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQB15P12TM-DG
Описание:
MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 120 V 15A (Tc) 3.75W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12837238
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQB15P12TM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
120 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
200mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.75W (Ta), 100W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FQB1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
IRF5210STRLPBF
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
7933
Номер части
IRF5210STRLPBF-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.26
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDMC6683PZ
MOSFET P-CH 20V 40A 8MLP
FDB2710
MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK
CPH6442-TL-E
MOSFET N-CH 60V 6A 6CPH
