FQB17N08TM
Производитель Номер продукта:

FQB17N08TM

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

FQB17N08TM-DG

Описание:

MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
Подробное описание:
N-Channel 80 V 16.5A (Tc) 3.13W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Инвентаризация:

12837588
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

FQB17N08TM Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
16.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
115mOhm @ 8.25A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.13W (Ta), 65W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FQB1

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
800

Классификация окружающей среды и экспорта

Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

HUFA76432S3ST

MOSFET N-CH 60V 59A D2PAK

onsemi

FQB6N70TM

MOSFET N-CH 700V 6.2A D2PAK

onsemi

FQP3N60C

MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3

onsemi

HUFA75429D3ST

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK