Производитель Номер продукта:
FQB17P06TM
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
FQB17P06TM-DG
Описание:
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
Подробное описание:
P-Channel 60 V 17A (Tc) 3.75W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Инвентаризация:
12840088
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
FQB17P06TM Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
QFET®
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
120mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
900 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.75W (Ta), 79W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
TO-263 (D2PAK)
Упаковка / Чехол
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Базовый номер продукта
FQB1
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
800
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SPB18P06PGATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
2030
Номер части
SPB18P06PGATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.44
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDB2670
MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB
FQPF7N40
MOSFET N-CH 400V 4.6A TO220F
MVSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
