Производитель Номер продукта:
HUF75639G3
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
HUF75639G3-DG
Описание:
MOSFET N-CH 100V 56A TO247-3
Подробное описание:
N-Channel 100 V 56A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247-3
Инвентаризация:
415 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839182
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
HUF75639G3 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
UltraFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
2000 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-247-3
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
HUF75639
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
HUF75639G3-DG
HUF75639G3FS
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
Not Applicable
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDP2710
MOSFET N-CH 250V 50A TO220-3
FDMS0310S
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FCP9N60N
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
