Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NDD60N550U1T4G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NDD60N550U1T4G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
Подробное описание:
N-Channel 600 V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
Запрос на предложение в Интернете
12856779
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
h
m
y
C
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NDD60N550U1T4G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
540 pF @ 50 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
94W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
DPAK
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Базовый номер продукта
NDD60
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NDD60N550U1T4G
HTML Спецификация
NDD60N550U1T4G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
2156-NDD60N550U1T4G-ONTR
ONSONSNDD60N550U1T4G
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
TK560P65Y,RQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4898
Номер части
TK560P65Y,RQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.46
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK11P65W,RQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
485
Номер части
TK11P65W,RQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.74
Тип замещения
Similar
Номер детали
SPD07N60C3ATMA1
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Infineon Technologies
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4363
Номер части
SPD07N60C3ATMA1-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.96
Тип замещения
Similar
Номер детали
TK10P60W,RVQ
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
5042
Номер части
TK10P60W,RVQ-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
1.18
Тип замещения
Similar
Номер детали
SIHD7N60E-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
135
Номер части
SIHD7N60E-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.74
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTD4860N-1G
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
NTLUS4930NTBG
MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
NVMFS5C456NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN
NTMS7N03R2
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC