Производитель Номер продукта:
NJVBDX53C
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NJVBDX53C-DG
Описание:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO220
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 65 W Through Hole TO-220
Инвентаризация:
12859596
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NJVBDX53C Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (IC) (макс.)
8 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
100 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
2V @ 12mA, 3A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
750 @ 3A, 3V
Мощность - Макс
65 W
Частота - переход
-
Рабочая температура
-
Тип крепления
Through Hole
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Комплект устройства поставщика
TO-220
Базовый номер продукта
NJVBDX5
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
RoHS non-compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
3 (168 Hours)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Сертификация DIGI
Связанные продукты
