Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
NJVMJD45H11G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NJVMJD45H11G-DG
Описание:
TRANS PNP 80V 8A DPAK
Подробное описание:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 8 A 90MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Инвентаризация:
1549 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12857672
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NJVMJD45H11G Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Одиночные биполярные транзисторы
Производитель
onsemi
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
PNP
Ток - коллектор (IC) (макс.)
8 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
80 V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
1V @ 400mA, 8A
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
1µA
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Мощность - Макс
1.75 W
Частота - переход
90MHz
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Комплект устройства поставщика
DPAK
Базовый номер продукта
NJVMJD45
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
NJVMJD45H11G
HTML Спецификация
NJVMJD45H11G-DG
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
NJVMJD45H11GOS
NJVMJD45H11G-DG
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0075
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NJVMJD45H11T4G-VF01
TRANS PNP 80V 8A DPAK
SBC856BLT3G
TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3
SBC817-25LT3G
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3
PN3645_D26Z
TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3