Производитель Номер продукта:
NTD3817N-1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NTD3817N-1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK
Подробное описание:
N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK
Инвентаризация:
12842429
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NTD3817N-1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
16 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.6A (Ta), 34.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
13.9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10.5 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±16V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
702 pF @ 12 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
IPAK
Упаковка / Чехол
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Базовый номер продукта
NTD38
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
75
Другие названия
ONSONSNTD3817N-1G
2156-NTD3817N-1G-ON
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
NTMFS4839NT1G
MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN
NTLUS3A90PZTBG
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6UDFN
NVMFS5113PLWFT1G
MOSFET P-CH 60V 10A/64A 5DFN
