Производитель Номер продукта:
NVGS3130NT1G
Product Overview
Производитель:
onsemi
Номер детали:
NVGS3130NT1G-DG
Описание:
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
Подробное описание:
N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12847619
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
NVGS3130NT1G Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
24mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20.3 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
935 pF @ 16 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
600mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
6-TSOP
Упаковка / Чехол
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Базовый номер продукта
NVGS3130
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
HTML Спецификация
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
488-NVGS3130NT1GDKR
488-NVGS3130NT1GTR
NVGS3130NT1G-DG
488-NVGS3130NT1GCT
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FDAF75N28
MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF
FDWS86068-F085
MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
FQP2P40
MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3