NVR1P02T1G
Производитель Номер продукта:

NVR1P02T1G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

NVR1P02T1G-DG

Описание:

MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Инвентаризация:

5951 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12856917
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
X87V
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

NVR1P02T1G Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
4.5V, 10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
2.5 nC @ 5 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
165 pF @ 5 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
400mW (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Степень
Automotive
Квалификация
AEC-Q101
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Базовый номер продукта
NVR1P02

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
NVR1P02T1G-DG
NVR1P02T1GOSDKR
NVR1P02T1GOSCT
NVR1P02T1GOSTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

NTR1P02T3

MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3

renesas-electronics-america

RJK0452DPB-00#J5

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

renesas-electronics-america

RJK5020DPK-00#T0

MOSFET N-CH 500V 40A TO3P

onsemi

RFD15P05SM

MOSFET P-CH 50V 15A TO252AA