SMUN5113DW1T1G
Производитель Номер продукта:

SMUN5113DW1T1G

Product Overview

Производитель:

onsemi

Номер детали:

SMUN5113DW1T1G-DG

Описание:

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363

Инвентаризация:

28000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12839388
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
wlMw
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SMUN5113DW1T1G Технические характеристики

Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
onsemi
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
47kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
-
Мощность - Макс
187mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Комплект устройства поставщика
SC-88/SC70-6/SOT-363
Базовый номер продукта
SMUN5113

Технический паспорт и документы

Технические характеристики
HTML Спецификация

Дополнительная информация

Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SMUN5113DW1T1GOSDKR
SMUN5113DW1T1GOSCT
SMUN5113DW1T1G-DG
SMUN5113DW1T1GOSTR

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
onsemi

MUN5235DW1T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

onsemi

MUN5135DW1T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

onsemi

MUN5132DW1T1G

TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88

onsemi

MUN5336DW1T1G

TRANS NPN/PNP BJT SC70-6