Производитель Номер продукта:
PJP2NA70_T0_00001
Product Overview
Производитель:
Panjit International Inc.
Номер детали:
PJP2NA70_T0_00001-DG
Описание:
700V N-CHANNEL MOSFET
Подробное описание:
N-Channel 700 V 2A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220AB
Инвентаризация:
12971120
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
BrR8
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
PJP2NA70_T0_00001 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
PANJIT
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
6.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
45W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220AB
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
PJP2
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Другие названия
3757-PJP2NA70_T0_00001
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
SIHP5N80AE-GE3
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Vishay Siliconix
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1010
Номер части
SIHP5N80AE-GE3-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.52
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
AOT66613L
MOSFET N-CH 60V 44.5A/120A TO220
PJE8402_R1_00001
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SIHD3N50D-BE3
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
