Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
EMH52T2R
Product Overview
Производитель:
Rohm Semiconductor
Номер детали:
EMH52T2R-DG
Описание:
NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
Подробное описание:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
Инвентаризация:
7905 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12950448
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
k
2
u
U
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
EMH52T2R Технические характеристики
Категория
Биполярный транзистор (BJT), Массивах биполярных транзисторов, предварительно смещенных
Производитель
ROHM Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Ток - коллектор (IC) (макс.)
100mA
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (макс.)
50V
Резистор - база (R1)
47kOhms
Резистор - база эмиттера (R2)
47kOhms
Усиление по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
vce сатурация (макс.) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 5mA
Ток - Отсечка коллектора (макс.)
500nA
Частота - переход
250MHz
Мощность - Макс
150mW
Тип крепления
Surface Mount
Упаковка / Чехол
SOT-563, SOT-666
Комплект устройства поставщика
EMT6
Базовый номер продукта
EMH52
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
EMH52T2R
Дополнительная информация
Стандартный пакет
8,000
Другие названия
846-EMH52T2RDKR
846-EMH52T2RCT
846-EMH52T2RTR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0075
Альтернативные модели
Номер детали
RN4984FE,LF(CT
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Toshiba Semiconductor and Storage
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
70
Номер части
RN4984FE,LF(CT-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.02
Тип замещения
Direct
Номер детали
DCX144EH-7
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Diodes Incorporated
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4474
Номер части
DCX144EH-7-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Direct
Номер детали
PEMH2,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4000
Номер части
PEMH2,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Upgrade
Номер детали
PEMD12,315
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Nexperia USA Inc.
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
8000
Номер части
PEMD12,315-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.07
Тип замещения
Upgrade
Номер детали
PEMD12,115
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
NXP Semiconductors
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
4633890
Номер части
PEMD12,115-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
0.06
Тип замещения
Upgrade
Сертификация DIGI
Связанные продукты
EMD72T2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
EMD52T2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
EMD38T2R
PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
EMB53T2R
PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH