Производитель Номер продукта:
2SK536-TB-E
Product Overview
Производитель:
Sanyo
Номер детали:
2SK536-TB-E-DG
Описание:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Подробное описание:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP
Инвентаризация:
3000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12946019
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
kSl0
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
2SK536-TB-E Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Упаковка
Bulk
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
50 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
-
Vgs (макс.)
±12V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
15 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
200mW (Ta)
Рабочая температура
125°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
3-CP
Упаковка / Чехол
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
1,411
Другие названия
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
FCP130N60
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
BUK7628-100A,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
FCP13N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1