SCT30N120D2
Производитель Номер продукта:

SCT30N120D2

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

SCT30N120D2-DG

Описание:

SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™

Инвентаризация:

12875915
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
lyAq
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

SCT30N120D2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
HiP247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT30

Дополнительная информация

Стандартный пакет
490

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STP18N60M6

MOSFET N-CH 600V 13A TO220

stmicroelectronics

STI32N65M5

MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK

stmicroelectronics

STH52N10LF3-2AG

MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2

stmicroelectronics

STU6N60DM2

MOSFET N-CH 600V 5A IPAK