Производитель Номер продукта:
SCT30N120D2
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCT30N120D2-DG
Описание:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Подробное описание:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Инвентаризация:
12875915
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
PQCw
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCT30N120D2 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
1200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
20V
Rds On (макс.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (макс.)
+25V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1700 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
270W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
HiP247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCT30
Дополнительная информация
Стандартный пакет
490
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STP18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2