Главная
Продукты
Производители
О DiGi
Связаться с нами
Блоги и посты
ЗАПРОС ЦЕНЫ/Котировка
Belarus
Войти
Выборочный язык
Текущий язык на ваш выбор:
Belarus
Переключить:
Английский
Европа
Великобритания
Франция
Испания
Турция
Молдова
Литва
Норвегия
Германия
Португалия
Словакия
ЛТАЛЫ
Финляндия
Русский
Болгария
Дания
Эстония
Польша
Украина
Словения
Чешский
Греческий
Хорватия
Израиль
Сербия
Беларусь
Нидерланды
Швеция
Черногория
Баскский
Исландия
Босния
Венгерский
Румыния
Австрия
Бельгия
Ирландия
Азиатско-Тихоокеанский регион
Китай
Вьетнам
Индонезия
Таиланд
Лаос
Филиппинский
Малайзия
Корея
Япония
Гонконг
Тайвань
Сингапур
Пакистан
Саудовская Аравия
Катар
Кувейт
Камбоджа
Мьянма
Африка, Индия и Ближний Восток
Объединённые Арабские Эмираты
Таджикистан
Мадагаскар
Индия
Иран
ДР Конго
Южная Африка
Египет
Кения
Танзания
Гана
Сенегал
Марокко
Тунис
Южная Америка / Океания
Новая Зеландия
Ангола
Бразилия
Мозамбик
Перу
Колумбия
Чили
Венесуэла
Эквадор
Боливия
Уругвай
Аргентина
Парагвай
Австралия
Северная Америка
США
Гаити
Канада
Коста-Рика
Мексика
О DiGi
О нас
О нас
Наши сертификаты
DiGi Введение
Почему DiGi
Политика
Политика качества
Условия использования
Соблюдение RoHS
Процесс возврата
Ресурсы
Категории продуктов
Производители
Блоги и посты
Услуги
Гарантия качества
Способ оплаты
Глобальная доставка
Тарифы на доставку
Часто задаваемые вопросы
Производитель Номер продукта:
SCTW90N65G2V
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
SCTW90N65G2V-DG
Описание:
SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Подробное описание:
N-Channel 650 V 90A (Tc) 390W (Tc) Through Hole HiP247™
Инвентаризация:
2 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12880909
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
*
Компания
*
Имя контакта
*
Телефон
*
Электронная почта
Адрес доставки
Сообщение
q
k
5
2
(
*
) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SCTW90N65G2V Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
SiCFET (Silicon Carbide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
650 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
18V
Rds On (макс.) @ id, vgs
25mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (макс.)
+22V, -10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
3300 pF @ 400 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
390W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
HiP247™
Упаковка / Чехол
TO-247-3
Базовый номер продукта
SCTW90
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
SCTW90N65G2V
Дополнительная информация
Стандартный пакет
30
Другие названия
497-18351
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Альтернативные модели
Номер детали
MSC015SMA070B
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Microchip Technology
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
497
Номер части
MSC015SMA070B-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
24.79
Тип замещения
Similar
Номер детали
SCT3022ALGC11
ПРОИЗВОДИТЕЛЬ
Rohm Semiconductor
ДОСТУПНОЕ КОЛИЧЕСТВО
1695
Номер части
SCT3022ALGC11-DG
ЕДИНИЧНАЯ ЦЕНА
36.29
Тип замещения
Similar
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STF3LN80K5
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
STI6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A I2PAK
STB9NK60ZDT4
MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
STE48NM50
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP