Производитель Номер продукта:
STB9NK70Z-1
Product Overview
Производитель:
STMicroelectronics
Номер детали:
STB9NK70Z-1-DG
Описание:
MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Подробное описание:
N-Channel 700 V 7.5A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK
Инвентаризация:
12875063
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
ouXk
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
STB9NK70Z-1 Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
-
Серия
SuperMESH™
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
700 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±30V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1370 pF @ 25 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
115W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
I2PAK
Упаковка / Чехол
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Базовый номер продукта
STB9N
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
50
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
STU5N70M6-S
MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
STP15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STP3NK90Z
MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
