STP28N60M2
Производитель Номер продукта:

STP28N60M2

Product Overview

Производитель:

STMicroelectronics

Номер детали:

STP28N60M2-DG

Описание:

MOSFET N-CH 600V 24A TO220
Подробное описание:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-220

Инвентаризация:

1020 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12879686
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
num_del num_add
*
*
*
*
Srk1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ

STP28N60M2 Технические характеристики

Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
STMicroelectronics
Упаковка
Tube
Серия
MDmesh™ II Plus
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
150mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±25V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1370 pF @ 100 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
170W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Through Hole
Комплект устройства поставщика
TO-220
Упаковка / Чехол
TO-220-3
Базовый номер продукта
STP28

Технический паспорт и документы

Технические характеристики

Дополнительная информация

Стандартный пакет
50
Другие названия
497-14220-5
-497-14220-5
STP28N60M2-DG

Классификация окружающей среды и экспорта

Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
stmicroelectronics

STDLED623

MOSFET N-CH 620V 3A DPAK

stmicroelectronics

STB11NM80T4

MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK

stmicroelectronics

STF25NM60ND

MOSFET N-CH 600V 21A TO220FP

stmicroelectronics

STB12NK80ZT4

MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK