Производитель Номер продукта:
CSD13302WT
Product Overview
Производитель:
Texas Instruments
Номер детали:
CSD13302WT-DG
Описание:
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Подробное описание:
N-Channel 12 V 1.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
Инвентаризация:
337 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12788598
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
CSD13302WT Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Texas Instruments
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
NexFET™
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
2.5V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
17.1mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
862 pF @ 6 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
4-DSBGA (1x1)
Упаковка / Чехол
4-UFBGA, DSBGA
Базовый номер продукта
CSD13302
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Страница продукта производителя
Дополнительная информация
Стандартный пакет
250
Другие названия
TEXTISCSD13302WT
2156-CSD13302WT
296-CSD13302WTCT
CSD13302WT-DG
296-CSD13302WTTR
296-CSD13302WTDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
CSD19506KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
CSD17579Q5A
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
CSD19501KCS
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3