Производитель Номер продукта:
SSM3J35AFS,LF
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM3J35AFS,LF-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Подробное описание:
P-Channel 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SSM
Инвентаризация:
20404 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12890403
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
JCwm
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM3J35AFS,LF Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
U-MOSVII
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.2V, 4.5V
Rds On (макс.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 100µA
Vgs (макс.)
±10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
42 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
150mW (Ta)
Рабочая температура
150°C
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
SSM
Упаковка / Чехол
SC-75, SOT-416
Базовый номер продукта
SSM3J35
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM3J35AFSLF
SSM3J35AFSLF(B
SSM3J35AFSLFCT
SSM3J35AFSLFTR
SSM3J35AFSLFDKR
SSM3J35AFS,LF(B
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TPC6010-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS-6
TK5P53D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK
SSM3J140TU,LF
MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM