Производитель Номер продукта:
SSM5G10TU(TE85L,F)
Product Overview
Производитель:
Toshiba Semiconductor and Storage
Номер детали:
SSM5G10TU(TE85L,F)-DG
Описание:
MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
Подробное описание:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Инвентаризация:
40 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12889139
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
vdo8
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
SSM5G10TU(TE85L,F) Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Упаковка
Cut Tape (CT)
Серия
U-MOSIII
Статус продукта
Obsolete
Тип полевых транзисторов
P-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
1.8V, 4V
Rds On (макс.) @ id, vgs
213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.4 nC @ 4 V
Vgs (макс.)
±8V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
250 pF @ 10 V
Функция полевых транзисторов
Schottky Diode (Isolated)
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Рабочая температура
150°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
UFV
Упаковка / Чехол
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Базовый номер продукта
SSM5G10
Дополнительная информация
Стандартный пакет
3,000
Другие названия
SSM5G10TU(TE85LF)CT
SSM5G10TU(TE85LF)DKR
SSM5G10TUTE85LF
SSM5G10TU(TE85LF)TR
Классификация окружающей среды и экспорта
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.21.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
TK10P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
SSM3K37MFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
TK290A60Y,S4X
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS